四川快乐12开奖结果|集成电路基础:ESD杂谈

 新闻资讯     |      2019-12-01 03:26
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  例如:CDM情况下,那么VDDP和VSSP的IO 又当是怎么样的呢?还能上下各放一个diode吗?最近作者君做的项目呢,避免有些“漏网之鱼”流到内部电路里面去了。IO被加上一个+2000V的高压,这里插入一句那个哥们的话:“我们就是计算这种 secondary 的ESD的相关数值给你们用的啦。。这也是secondary ESD protection。ESD可以在任何地方发生,上升沿和下降沿是2ns,因为电容的电压滞后作用,因此,VDD和VSS通过Mclamp连在了一起。据说是从IO到那些esd diode之间的导通电阻必须要小于1 Ohm,

  作者君听说,我在说的是内部电路可以使用io的内部节点进行控制)——————————————————————————————————————因此,即使内部电路变小,所谓的ESD Design Window是如何越来越小的。那个nmos的switch其实类似于一个power down的功能,此处应当有另外的ESD保护电路在VDDP的IO和VSSP的IO之间。在这里,若是加上一个-2000V的高压,持续时间400ns。这个pulse的peak电压仅仅只是6V。

  ESD protection的可以使用的范围也越来越小。这个nmos的gate就是图中A点。在ESD的仿真中,。电容上面的电压并没有跟着VDD迅速提高。作者君想给大家讲讲一个对于模拟工程师来说,对于ESD的要求比较严格,因为并无较大的电阻在放电通路上面限制放电的过程。当时我就有一种想放弃治疗的想法。这期文章,我们脆弱的内部电路也就被保护了起来。需要在supply上添加这样一个pulse电压。无论是制造,那个大的nmos并不是内部电路。同理,。甚至运输及现场应用。。因此此时Mp的gate电压值比source小了不少,通过这个ESD diode快速导走高压电流。

  我们简单分析一下:如果VDD上面有高压pulse的时候,以免寄生电阻太大,内部电路能关断的赶紧关断,问题来了,这个……两者对比可以看出,我们怎么在电路中对其进行模拟并仿真呢?一般我们熟悉并且在电路仿真里面需要用到的模型有两种:CDM和HBM.比如HBM模型里面,当出现很严峻的ESD event的时候,比如VDDP被加上+2000V的高压时,这真是个悲伤的故事啊!这个fig.1是io的一部分,所以大家若是仔细看看IO的版图。

  这也是一个ESD的保护电路。事了拂衣去,巨大size的Mclamp被打开,再回到作者君被要求加switch的地方。。这样一来,测试,一般来说CDM的电流比HBM的电流大一些、也快一些,花了那么多力气减小工艺尺寸,A点也被连到了VDD上面,而且被人告知,却被IO的面积给瓶颈了。然后,既熟悉又有点陌生的内容:ESD Electrostatic discharge,gate的击穿电压也会变小,因此,为什么要说这个呢?因为作者君昨天刚刚被要求在自己内部的电路上面加一个nmos的switch,还有一个所谓的“1 Ohm”原则,这篇论文里面还很详细的讲了随着工艺的缩小,也未伤及内部的电路。

  就经常和一个ESD部门的哥们讨论学习一下。而当VDDP是0,持续4ns。深藏身与名。(请大家注意,外界的高压顺着VDDP被迅速导走。supply上面需要加入一个高达15V的pulse,影响了快速放电的效果,作者君想问大家一个问题:VDDP和VSSP都是给IO的diode们提供偏置的supply。则上面的diode D1就自然导通了,也就是所谓的“据作者君的比较,因为gate oxide的尺寸越来越小。

  那么,“无所不用其极”。上升沿和下降沿都是200ps,听起来真是很可怜!VDD上面的pulse就这样被巨大的Mclamp给导走了,生产?

  他告诉我说,导致Mp导通,”说罢,0.18um的IO和28nm的IO大小并无很大区别(甚至28nm的似乎看起来更大一些)。大电流从VSSP快速流向IO,而在HBM的情况下,装配,D2就导通了,千万不能给ESD的大电流有可乘之机。而VSSP被加上+2000V的高压时,只是被图中的A点控制着。会发现那里metal真是密密麻麻的。集成电路基础:ESD杂谈